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富士通推出新鐵電隨機存取記憶體

發(fā)布日期:2011-07-29  中國POS機網(wǎng)
富士通半導體美國公司(TI)7月13日推出了一系列新的先進的鐵電隨機存取記憶體(TI)產(chǎn)品由富士通設(shè)計和制造,以滿足在工業(yè)系統(tǒng)的需求迅速增加的FRAM,工廠自動化,計量,和許多其它低功耗應(yīng)用要求高性能,非易失性內(nèi)存。

       新MB85RSxxxSPIFRAM系列包括三種不同的設(shè)備:256-Kbit的MB85RS256A,128–Kbit的MB85RS128A和64-Kbit的MB85RS64A。所有三個操作在3.0V和3.6V之間的電壓范圍,并提供業(yè)界領(lǐng)先的10億美元的讀/寫周期,以及數(shù)據(jù)保留10年,在55°C.

       新系列是富士通最新的0.18微米(微米)FRAM技術(shù)的基礎(chǔ)上,采用了最高工作頻率為25MHz,比該公司以前的FRAM器件的顯著改善。由于電壓的助推器是不必要的寫作過程中,非常適合用于低功耗應(yīng)用的新型FRAM。所有MB85RSxxx系列器件提供8引腳塑料SOP封裝,與標準的內(nèi)存的針腳分配,這是與E2PROM的設(shè)備完全兼容。

       另外的SPIFRAM系列,富士通還開發(fā)了具有獨立的FRAM器件的I²C(MB85RCxxx系列)和并行接口(MB85Rxxx系列)。這些獨立設(shè)備的密度從16Kbit到1Mbit的水平和與產(chǎn)品路線圖,其中包括更高的密度,以滿足未來市場需求。

      高密度的RFID芯片同時采樣

      富士通也是其高性能,高密度的RFID芯片樣品。這些高頻基于FRAM的RFID產(chǎn)品,符合與ISO/IEC15693和ISO/IEC18000-3標準,可在256字節(jié)和2K字節(jié)內(nèi)存的變化。此外,富士通是符合EPC全球第二代RFID標識,采樣并提供了FRAM4K字節(jié)和一個備用的SPI接口。

       富士通公司近期的路線圖,包括業(yè)界最大64K字節(jié)的EPCGlobal的Gen2RFID芯片。這種高密度,基于FRAM的RFID產(chǎn)品系列,使強大的跟蹤應(yīng)用。該芯片提供了在該項目的水平,其中包括不只是一個基本的識別碼可追溯審計線索,而且還提供詳細的歷史,追蹤或其他記錄,通過供應(yīng)鏈,并在其整個生命周期跟蹤的對象。由于FRAM具有抗輻射的高耐受性,這些RFID芯片適用于各種醫(yī)療和制藥應(yīng)用。

        放心可靠,穩(wěn)定的FRAM供應(yīng)

        行業(yè)最大的FRAM的供應(yīng)商,富士通公司是第一家嵌入到CMOS邏輯FRAM在1998年,在1999年推出業(yè)界首個大規(guī)模生產(chǎn)。富士通夫婦與優(yōu)化FRAM設(shè)計生產(chǎn)行業(yè)的最高質(zhì)量的FRAM產(chǎn)品,其高度可靠和成熟的制造能力。

        富士通半導體美國公司的高級營銷經(jīng)理彭塘他說:“富士通公司最近完成了從公司的較舊的巖手縣的制造設(shè)施,一個在三重,日本,這已經(jīng)被制造集成電路用的高效的0.18微米技術(shù)幾年較新線線的FRAM產(chǎn)品的遷移,”“因為富士通公司擁有的生產(chǎn)基地,公司可以確保一個更加可靠和穩(wěn)定的供應(yīng),以滿足FRAM產(chǎn)品的市場需求穩(wěn)步增長。這是一個關(guān)鍵的優(yōu)勢,富士通為客戶提供無晶圓廠供應(yīng)商,外源的生產(chǎn),從而可能會受到供應(yīng)中斷。“引公司設(shè)計,制造工藝技術(shù)和生產(chǎn)進度的控制能力的全球市場帶來的好處。

         一個數(shù)據(jù)保留至少10年的非揮發(fā)性記憶體,F(xiàn)RAM可以完美地取代所有的電池備份解決方案,使環(huán)保產(chǎn)品。FRAM獨立內(nèi)存設(shè)備被廣泛用于計量和工廠自動化應(yīng)用,以及在各種工業(yè)領(lǐng)域,其中的數(shù)據(jù)記錄,高速的寫訪問和高耐用性是必不可少的。在FRAM鐵電材料具有很強的抗的磁場和輻射,使得它也非常適合應(yīng)用在醫(yī)療,航空航天,食品等行業(yè)。
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